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2018年11月11日 · 耗尽层的 耦合 :当两个金属栅极彼此足够靠近时,其间隙 下表面势将由两栅极上电位决定,从而形成两个 MOS 电容器 下耗尽层的耦合, -- 使一个 MOS 电容器中存储的信号电荷 能转移 到下一个 MOS 电容器中,通常电极间隙取0.1~0.2μm 采用三层多晶硅的三
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