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碳化硅和硅电池组的差别

2022年4月18日 · 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的,但也有很大的差异。本文对两者进行了

直流快充桩

高功率直流快充桩，专为电动汽车充电站、商业设施及公共停车场设计，提供高效、安全的电动车智能充电解决方案，推动绿色交通发展。

光伏储能充电一体柜

结合太阳能发电、储能和电动车充电功能，光伏储能充电一体柜广泛应用于工业园区、商业综合体及离网地区，实现绿色能源智能调度与高效储能管理。

折叠式太阳能电池板集装箱

专为应急救援、野外作业及偏远地区设计的便携式光伏储能系统，支持快速部署，提供高效的离网供电解决方案，助力可持续能源发展。

海岛光伏微电网

海岛光伏微电网系统专为偏远海岛及离网区域提供独立能源解决方案，融合太阳能、风能与储能技术，确保清洁能源的稳定供应，推动绿色能源普及。

移动式风力发电站

移动式风力发电站为应急供电、户外施工及野外科考提供稳定、高效的绿色能源支持，是理想的可移动新能源供电解决方案。

智能微电网调度监控系统

智能微电网调度监控系统通过实时监控光伏储能系统的运行状态，优化能源分配与调度，提升电网稳定性及能源利用效率，是现代微电网管理的核心。

氮化镓和碳化硅的区别在哪里？这篇指南送给你-电源管理-电子

SiC和硅基IGBT的效率区别在哪里？

2021年12月16日 · 2022年是中国碳化硅使用的很重要的一个年份,主要是目前800V系统带来了很多变化,具体从各个层面到底有哪些差异,我想根据梳理材料来和大家探讨

硅电池和锂电池有什么区别

2021年7月20日 · 硅电池和锂电池有什么区别硅能蓄电池是一种新型环保蓄电池,采用全方位新的机理的复合硅盐做电解质, 克服了目前国内外仍占统治地位的铅酸蓄电池的主要缺点,。其比能量特性、大电流放电特性、低温特性、使用寿命、环保性能

深度解读第三代半导体—碳化硅

2023年8月23日 · 从电化学性质差异来看,碳化硅衬底材料可以分为导电型衬底（电阻率区15~30mΩ·cm）和半绝缘型衬底（电阻率高于105Ω·cm）。这两类衬底经外延生长后分别用于制造功率器件、射频器件等分立器件。其中,半绝缘

英飞凌推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion, 将硅和碳化硅

2024年10月15日 · 功率模块中硅和碳化硅的主要区别之一是碳化硅具有更高的热导率、击穿电压和开关速度,因此效率更高,但成本也高于硅基功率模块。采用新模块后,每辆车的碳化硅含量

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？

2022年3月31日 · 几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来,提供独特的优势和优秀的特性。例如,有了化合物半导体,我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。

碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析

2024年10月23日 · 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,它突破硅基半导体材料物理限制,成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。功率器件的作用是实现对电能的处理、转换和控制。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？

2022年11月28日 · 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的,但也有很大的差异。本文对两者进行了

浅谈氮化镓和碳化硅的区别

2022年4月1日 · 几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来,提供独特的优势和优秀的特性。例如,有了化合物半导体,我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。

碳化硅功率器件在车载充电机OBC中的应用2

2023年2月3日 · 碳化硅功率器件在车载充电机OBC中的应用2-OBC作为新能源汽车的核心部件之一,其效率、功率密度等参数对新能源汽车充电时间和续航里程具有一定影响。在确保系统可信赖性和稳定性的前提下,更高的功率密度对减轻整车重量,提升整车续航里程具有积极推动作用。

深度解读第三代半导体—碳化硅

2023年8月23日 · 碳化硅介绍碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si）,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电

汽车碳化硅逆变器的原理、作用和性能

2023年2月25日 · 汽车碳化硅逆变器的原理、作用和性能- 汽车碳化硅逆变器是一种基于碳化硅芯片制造的逆变器,用于将直流电转换为交流电,以驱动电动车的电动机。其主要原理是利用逆变器电路中的三相桥式变流器,将直流电转换为高频的脉宽调制信号,再通过滤波电路将其转换为交流电

碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）应用对比：探究其特性差异

2023年12月8日 · 1.宽带隙半导体氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2eV,而碳化硅的带隙为3.4eV。虽然这些值看起来相似,但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙仅为1.1eV相关的技术文库,帮助电子工程师学习最高新、最高热

解读新能源车载OBC的设计与应用

2024年7月17日 · 与硅超级结 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 相较之下,较慢的开关速度和较低的效率将必须在设计的可接受范围之内。 IGBT 也可用于低功率等级双向设计中的副边整流,但由于开关损耗较高（与硅超级结或碳化硅 MOSFET 相比）,因此并不常用。

氮化镓 (GaN)和碳化硅 (SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你

2022年4月1日 · 来源：安森美几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来,提供独特的优势和优秀的特性。例如,有了化合物半导体,我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南

2022年3月30日 · 然而,与硅相比,它们具有显著的优势。新的更高要求的应用,如汽车电气系统和电动汽车(EVs),正发现化合物半导体能更好地满足其严格的规格要求。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已

SiC"上车",到底用在电动汽车哪些地方？_懂车帝

2022年6月9日 · Wunderbox由DC/DC转换器和车载充电器（OBC）组成,分别采用了罗姆的高性能SiC MOSFET"SCT3040K"和"SCT3080K"。利用SiC MOSFET优秀的高频和耐高温性

石墨板与热硅垫：主要区别说明

导热硅垫也称为热界面垫,是一种复合材料,可作为电子元件及其冷却系统之间的热导体。这些垫通常由硅橡胶制成,并填充导热填料,如金属或陶瓷粉末,包括铜、氧化铝、氮化铝、氮化硅和碳化硅。导热硅胶垫的主要功能是在发热元件和散热器之间架起桥梁,确保有效的热传导,防止形成

深度解读第三代半导体—碳化硅-新闻中心-上海戎创铠迅特种

2024年11月5日 · 碳化硅介绍碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si）,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍,满足了现代工业对高功率、高

风能发电中的碳化硅与IGBT对比分析

2022年11月1日 · 碳化硅和igbt的区别碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你

2022年3月30日 · 与硅相比,WBG晶体管的开关速度也更快,可在更高的频率下工作。更低的"导通"电阻意味着它们耗散的功率更小,从而提升能效。这种独特的特性组合使这些器件对汽车应用中一些最高严苛要求的电路具有吸引力,特别是混合动力和电动车

碳化硅如何加速新能源汽车普及？你必须要知道的细节

2024年11月18日 · 在碳化硅领域布局将近二十年,其EliteSiC碳化硅产品组合涵盖了MOSFET、二极管以及全方位碳化硅和硅/ 作为电动汽车不可或缺的组成部分,OBC的主要功能是将交流电高效地转换为直流电,从而为电池组提供稳定且高效的电能输入。与此同时,随着

SiC和硅基IGBT的效率区别在哪里？

2021年12月16日 · 最高近功率电子比较热门,我这边把几份材料的一些观点梳理一下。2022年是中国碳化硅使用的很重要的一个年份,主要是目前800V SiC和硅基IGBT的效率区别在哪里？时间： 2021-12-16 作者：汽车电子设计分享扫码

碳化硅（SiC）技术取代旧的硅FET和IGBT-电子工程世界

2024年11月19日 · 所有类型的电动汽车（EV）的高功率、高电压要求,包括电动公交车和其他电子交通电源系统,需要更高的碳化硅（SiC）技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全方位高效地驱动这些更高效的SiC器件可以使用数字而不是模拟栅极驱动器来实现,许多非汽车或非车辆应用将受益。

碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）应用差异_北京大学东莞

19 小时之前 · 硅的带隙仅为 1.1 eV,比氮化镓和碳化硅小三倍。这些化合物的较高带隙允许氮化镓和碳化硅舒适地支持更高电压的电路,但它们不能像硅那样支持低压电路。 2. 击穿场强度氮化镓和碳化硅的击穿场相对相似,氮化镓的击穿场为 3.3 MV/cm,而碳化硅的击穿场为

碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）应用差异_北京大

19 小时之前 · 与硅相比,目前的制造技术限制了氮化镓和碳化硅的成本效益,使这两种高功率材料在短期内更加昂贵。然而,这两种材料在特定半导体应用中都具有强大的优势。

浮思特| 碳化硅开启功率半导体的新时代

2023年12月2日 · 碳化硅生产迅速增长,主要推动力是汽车市场的需求和与硅材料的价格逐渐对等。目前在电动汽车中用于车载充电、牵引反相及直流到直流转换的功率半导体模块数量已经达到几千种。如今,大部分的模块还在用硅基IGBT制

氮化镓(GaN) 和碳化硅(SiC)晶体管之间的差异

2022年3月17日 · 图1. 显示了流行的高压、大电流晶体管和其他器件的功率能力与开关频率的关系,以及主要的应用。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)

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